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DMG4932LSD
100,000
10
8
10,000
T A = 150°C
6
V DS = 15V
I D = 9A
1,000
100
T A = 125°C
T A = 85°C
4
2
T A = 25°C
10
0
5 10 15 20 25
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
30
0
0
5 10 15
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
20
10,000
Fig. 20 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
10
Fig. 21 Gate-Charge Characteristics
1,000
C iss
C oss
f = 1MHz
9
8
7
6
5
4
Single Pulse
R θ JA = 113°C/W
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
T J - T A = P * R θ JA (t)
2. T J D = 1.12W(DC)
100
C rss
3
2
1
1. DUT Mounted on 1 x MRP FR-4 Board
= 150°C, P
10
0
5 10 15 20 25
30
0
0.001
0.01 0.1 1 10 100 1,000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 22 Typical Total Capacitance
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 23 Single Pulse Maximum Power Dissipation
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 113°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R θ JA (t)
D = 0.005
-T
t 2
Duty Cycle, D = t 1 2
/t
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 24 Transient Thermal Response
DMG4932LSD
Document number: DS32119 Rev. 4 - 2
7 of 9
www.diodes.com
August 2010
? Diodes Incorporated
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